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    • 产品名称: KS-S300-E 单片湿法刻蚀机
    • 商品编号: 2401
    • 基片尺寸: 100mm~300mm
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    • 合用工艺: 半导体制造中湿法刻蚀工艺
    • 阅读次数: 1763

    满意半导体制造中湿法刻蚀工艺,单片加工,适用于SiO2,SiN,Polysilicon和各类金属层的刻蚀,洗濯和去胶等工艺流程。最多可设置4个刻蚀单位。

    1.接纳共同的夹持手艺,在夹持硅片的同时,硅片的另一面被气体有用的庇护,不被化学液所净化.

    2.操纵位置、速度可控的摆臂喷洒化学液,能够有用的提高刻蚀平均性.

    3.分层式反响腔体设想,能够在统一腔体中喷洒多种化学液,并能有用收受接管,节省化学液.

    4.叠层掌握,占地面积小,最多可设置4个刻蚀单位

     

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    基片尺寸:100mm~300mm

    化学液温度:室温~80℃

    喷洒方法:硅片外表扫描

    外型尺寸:W1800×D2200×H2350 (mm)

    先辈封装